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SHB110	文件：154.74 Kbytes Page：1 Pages	2SATA-150withRAID0,1	AXIOMTEKAxiomtek Co., Ltd. 艾訊科技艾訊股份有限公司	AXIOMTEK
SIA110DJ	文件：271.63 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?GenIVpowerMOSFET ?TunedforthelowestRDS-Qoss ?100RgandUIStested ?Materialcategorization:? fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS ?Primarysideswitch ?DC/DCconverter ?Motordriveswitch ?Boostconverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFD110	文件：132.41 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFL110	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFL110T	文件：1.45555 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES ?SurfaceMount ?AvailableinTapeandReel ?DynamicdV/dtRating ?Repetitive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR110	文件：1.37078 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Power	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR110	文件：3.88858 Mbytes Page：7 Pages	DynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR110	文件：782.87 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?DynamicdV/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Surface-mount(IRFR110,SiHFR110) ?Availableintapeandreel ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR110T	文件：1.37078 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Power	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SIHFU110	文件：1.37078 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Power	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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SIHLD110	文件：1.51091 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHLD110	文件：1.62889 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團(tuán)	TFUNK
SIHLL110	文件：1.44194 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness.TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHLL110	文件：356.82 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團(tuán)	TFUNK
SIHLL110T	文件：1.44194 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness.TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniq	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

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晶體管資料

型號：
SGS110
別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
生產(chǎn)廠家：
制作材料：
Si-N+Darl+Di
性質(zhì)：
低頻或音頻放大（LF）_開關(guān)管（S）_功率放大（L
封裝形式：
直插封裝
極限工作電壓：
60V
最大電流允許值：
4A
最大工作頻率：
<1MHZ或未知
引腳數(shù)：
3
可代換的型號：
TIP110,
最大耗散功率：
50W
放大倍數(shù)：
β>1000
圖片代號：
B-21
vtest：
60
htest：
999900
atest：
4
wtest：
50

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	SGS122	JD/晶導(dǎo)	23+	SMA(DO-214AC)	69820	終端可以免費供樣,支持BOM配單!	詢價
深圳市仟禧電子有限公司	SGS122	ST/意法	22+	TO-126	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	SGS122	ST/意法	23+	TO-126	10000	公司只做原裝正品	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SGS122	ST	TO-126	22+	6000	十年配單,只做原裝	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	SGS122	ST/意法	23+	TO-126	11200	原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO	詢價
深圳市賽特興科技有限公司	SGS122	ST	23+	TO-126	16900	正規(guī)渠道,只有原裝!	詢價
深圳市金芯世紀(jì)電子有限公司	SGS122	ST/意法	22+	TO-126	100000	代理渠道/只做原裝/可含稅	詢價
深圳市躍創(chuàng)芯科技有限公司	SGS122	ST	22+	TO-126	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
中科航電（深圳）電子集團(tuán)有限公司	SGS122	ST		TO-126	36900	集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢價
深圳市華來深電子有限公司	SGS122	ST	23+	TO-126	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價熱賣!	詢價

更多SGS110供應(yīng)商更新時間2025-1-4 10:57:00

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