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SGP23N60UFDTU 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導(dǎo)體

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原廠料號(hào)：SGP23N60UFDTU品牌：ON

特價(jià)全新原裝公司現(xiàn)貨

SGP23N60UFDTU是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商O(píng)N/onsemi生產(chǎn)封裝SMD/TO-220-3的SGP23N60UFDTU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    SGP23N60UFDTU

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 資料說(shuō)明：

    IGBT 晶體管 Dis High Perf IGBT

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SGP23N60UFDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，12A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    115μJ（開(kāi)），135μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    17ns/60ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，12A，23 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 描述：

    IGBT 600V 23A 100W TO220

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市歐亞佳電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    侯小姐

  • 手機(jī)：

    15989332598

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-82522985

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)紅荔路3002號(hào)交行大廈707

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