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SGH80N60UFDTU中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SGH80N60UFDTU
廠商型號

SGH80N60UFDTU
參數(shù)屬性

SGH80N60UFDTU 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 80A 195W TO3P
功能描述

Ultrafast IGBT
文件大小

701.15 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時間

2024-11-19 18:28:00

SGH80N60UFDTU規(guī)格書詳情

General Description

Fairchilds UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses. The UFD series is designed for applications such as motor control and general inverters where high speed switching is a required feature.

Features

? High speed switching

? Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A

? High input impedance

? CO-PAK, IGBT with FRD : trr = 50ns (typ.)

Applications

AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, and servo controls.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    SGH80N60UFDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，40A

  • 開關能量：

    570μJ（開），590μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    23ns/90ns

  • 測試條件：

    300V，40A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 80A 195W TO3P

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