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SGF80N60UF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

SGF80N60UF
廠商型號(hào)

SGF80N60UF
參數(shù)屬性

SGF80N60UF 封裝/外殼為T(mén)O-3P-3 整包；包裝為管件；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 80A 110W TO3PF
功能描述

Ultra-Fast IGBT
封裝外殼

TO-3P-3 整包
文件大小

567.62 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Fairchild【仙童半導(dǎo)體】

中文名稱(chēng)

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-16 15:48:00
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SGF80N60UF規(guī)格書(shū)詳情

General Description

Fairchilds Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) UF series provides low conduction and switching losses. UF series is designed for the applications such as motor control and general inverters where High Speed Switching is required.

Features

? High Speed Switching

? Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 40A

? High Input Impedance

Application

AC & DC Motor controls, General Purpose Inverters, Robotics, Servo Controls

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SGF80N60UFTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，40A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    570μJ（開(kāi)），590μJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    23ns/90ns

  • 測(cè)試條件：

    300V，40A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3PF

  • 描述：

    IGBT 600V 80A 110W TO3PF

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
安森美
21+
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原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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