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SGB10N60A 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

SGB10N60A參考圖片

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原廠料號：SGB10N60A品牌：Infineon(英飛凌)

原廠原裝現(xiàn)貨

SGB10N60A是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineon(英飛凌)/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝NA/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的SGB10N60A晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    SGB10N60A

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    11 頁

  • 文件大小：

    795.39 kb

  • 資料說明：

    Fast IGBT in NPT-technology 75 lower Eoff compared to previous generation

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    SGB10N60AATMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，10A

  • 開關(guān)能量：

    320μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    28ns/178ns

  • 測試條件：

    400V，10A，25 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO263-3-2

  • 描述：

    IGBT 600V 20A 92W TO263-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    中科國際電子(深圳)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機(jī)：

    13682375875

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23306107

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振興路120號賽格科技園4棟5Ｂ13室

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