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SGB10N60 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌

SGB10N60參考圖片

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原廠料號(hào)：SGB10N60品牌：Infineo

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SGB10N60是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商Infineo/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝TO-263/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的SGB10N60晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    SGB10N60

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    10 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    201.5 kb

  • 資料說(shuō)明：

    HighSpeed 2-Technology

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SGB10N60AATMA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.4V @ 15V，10A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    320μJ

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    28ns/178ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，10A，25 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-TO263-3-2

  • 描述：

    IGBT 600V 20A 92W TO263-3

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市華來(lái)深電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生

  • 手機(jī)：

    13751106682

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83238902/13662247350

  • 傳真：

    0755-83972189

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)205棟4樓4B35/門市部:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路國(guó)利大廈新亞洲二期N2B227

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