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SGB06N60分立半導體產品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

SGB06N60
廠商型號

SGB06N60

參數屬性

SGB06N60 封裝/外殼為TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB;包裝為管件;類別為分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產品描述:IGBT 600V 12A 68W TO263-3

功能描述

Fast IGBT in NPT-technology
IGBT 600V 12A 68W TO263-3

文件大小

396.84 Kbytes

頁面數量

12

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2024-11-16 22:50:00

SGB06N60規(guī)格書詳情

Fast IGBT in NPT-technology

? 75 lower Eoff compared to previous generation combined with low conduction losses

? Short circuit withstand time – 10 μs

? Designed for:

- Motor controls

- Inverter

? NPT-Technology for 600V applications offers:

- very tight parameter distribution

- high ruggedness, temperature stable behaviour

- parallel switching capability

SGB06N60屬于分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。英飛凌科技股份公司制造生產的SGB06N60晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    SGB06N60ATMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.4V @ 15V,6A

  • 開關能量:

    215μJ

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    25ns/220ns

  • 測試條件:

    400V,6A,50 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB

  • 供應商器件封裝:

    PG-TO263-3-2

  • 描述:

    IGBT 600V 12A 68W TO263-3

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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