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Power MOSFET Features ?LowOn-Resistance ?HighSpeedSwitching ?LowGateCharge ?ESDDiode-ProtectedGate ?Pb-freeandRoHSCompliance | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Power MOSFET PowerMOSFET –100V,–11A,275mΩ,P-ChannelSingleTP/TP-FA Features ?ON-resistanceRDS(on)1=210mΩ(typ.) ?InputCapacitanceCiss=1020pF(typ.) ?4Vdrive ?Halogenfreecompliance ?Protectiondiodein | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Power MOSFET 100V, 11A, 275m, P-Channel Single TP/TP-FA PowerMOSFET –100V,–11A,275mΩ,P-ChannelSingleTP/TP-FA Features ?ON-resistanceRDS(on)1=210mΩ(typ.) ?InputCapacitanceCiss=1020pF(typ.) ?4Vdrive ?Halogenfreecompliance ?Protectiondiodein | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features ?VDS=-100V,ID=-13A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 | Bychip | ||
Power MOSFET PowerMOSFET –100V,–11A,275mΩ,P-ChannelSingleTP/TP-FA Features ?ON-resistanceRDS(on)1=210mΩ(typ.) ?InputCapacitanceCiss=1020pF(typ.) ?4Vdrive ?Halogenfreecompliance ?Protectiondiodein | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Power MOSFET 100V, 11A, 275m, P-Channel Single TP/TP-FA PowerMOSFET –100V,–11A,275mΩ,P-ChannelSingleTP/TP-FA Features ?ON-resistanceRDS(on)1=210mΩ(typ.) ?InputCapacitanceCiss=1020pF(typ.) ?4Vdrive ?Halogenfreecompliance ?Protectiondiodein | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Power MOSFET PowerMOSFET –100V,–11A,275mΩ,P-ChannelSingleTP/TP-FA Features ?ON-resistanceRDS(on)1=210mΩ(typ.) ?InputCapacitanceCiss=1020pF(typ.) ?4Vdrive ?Halogenfreecompliance ?Protectiondiodein | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Power MOSFET 100V, 11A, 275m, P-Channel Single TP/TP-FA PowerMOSFET –100V,–11A,275mΩ,P-ChannelSingleTP/TP-FA Features ?ON-resistanceRDS(on)1=210mΩ(typ.) ?InputCapacitanceCiss=1020pF(typ.) ?4Vdrive ?Halogenfreecompliance ?Protectiondiodein | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
General-Purpose Switching Device Applications General-PurposeSwitchingDeviceApplications Features ?ON-resistanceRDS(on)1=45mΩ(typ.) ?InputCapacitanceCiss=590pF(typ.) ?4.5Vdrive ?Halogenfreecompliance | SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋電機(jī)株式會(huì)社 | SANYO | ||
P-Channel Power MOSFET 40V, 19A, 59m, Single TP/TP-FA Features ?ON-resistanceRDS(on)1=45mΩ(typ.) ?InputCapacitanceCiss=590pF(typ.) ?4.5Vdrive ?Halogenfreecompliance ?Protectiondiodein | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Ge-PNP
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_輸出極 （E）
- 封裝形式：
特殊封裝
- 極限工作電壓：
24V
- 最大電流允許值：
0.5A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
AC128K,AC153K,AC188K,AC193K,3AX55B,
- 最大耗散功率：
1.33W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
E-74
- vtest：
24
- htest：
999900
- atest：
0.5
- wtest：
1.33
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
SFT13
- 功能描述：
整流器 1A,150V,35NS, SUPER FAST Rect
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 產(chǎn)品：
Standard Recovery Rectifiers
- 反向電壓：
100 V
- 恢復(fù)時(shí)間：
1.2 us
- 正向連續(xù)電流：
2 A
- 最大浪涌電流：
35 A 反向電流
- IR：
5 uA
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
DO-221AC
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
11+ |
700 |
原裝正品現(xiàn)貨庫(kù)存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | |||
ON |
2020+ |
SOT252 |
100 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) | ||
SANYO |
2016+ |
TO252 |
6000 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
O |
24+ |
TO252 |
5000 |
只做原裝公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
1728+ |
? |
7500 |
只做原裝進(jìn)口,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
SMD |
20000 |
一級(jí)代理原裝現(xiàn)貨假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-252 |
11846 |
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
ON |
22+23+ |
TO-252 |
40682 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
SNAYO |
1822+ |
SOT-252 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
SNAYO |
SOT-252 |
30216 |
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
詢價(jià) |
