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SDTG-630-N	文件：1.18629 Mbytes Page：6 Pages	BOURNSOFFERSOVER35ASSORTEDKITS	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
SDTM-630-KTR	文件：201.79 Kbytes Page：2 Pages	SMDTactSwitch	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
SDTM-630-NTR	文件：201.79 Kbytes Page：2 Pages	SMDTactSwitch	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
SDTM-630-RTR	文件：201.79 Kbytes Page：2 Pages	SMDTactSwitch	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
SDTM-630-STR	文件：201.79 Kbytes Page：2 Pages	SMDTactSwitch	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
SDTM-630-YTR	文件：201.79 Kbytes Page：2 Pages	SMDTactSwitch	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯伯恩斯（邦士）	Bourns
SFP630	文件：803.38 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SIH630S	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630	文件：579.72 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630	文件：5.97495 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SiHF630	文件：283.3 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630S	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630S	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFI630G	文件：1.55776 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHL630	文件：1.92247 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200V RDS(on)(Ω)VGS=5V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SiHL630S	文件：226.54 Kbytes Page：9 Pages	AvailableinTapeandReel	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHL630S	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?150°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHLI630G	文件：1.02856 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIL630	文件：336.87 Kbytes Page：1 Pages	SMTPowerInductor Features ■RoHScompliant. ■Magneticallyshielded. ■Idealforpowersourcecircuits,DC-DCconverter,DC-ACinvertersinductorapplication. ■Inadditiontothestandardversionsshownhere,customizedinductorsareavailabletomeetyourexactrequirements.	deltaDelta Electronics, Inc. 臺(tái)達(dá)臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司	delta
SIL630	文件：172.6 Kbytes Page：1 Pages	SMTPowerInductor	deltaDelta Electronics, Inc. 臺(tái)達(dá)臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司	delta

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SDTA-630-K
功能描述：
觸覺開關(guān) 12volt 50mA 6mm Right Angle
RoHS：
否
制造商：
C&K Components
工作力：
2 N
執(zhí)行器：
Round
電流額定值：
50 mA 電壓額定值
DC：
32 V 電壓額定值
功率額定值：
1 VA
接地端子：
Yes
觸點(diǎn)形式：
SPST-NO
安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
安裝方向：
Right
照明：
Not Illuminated

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
上海金慶電子技術(shù)有限公司	SDTA-650-K	BOURNS	新		8800	全新原裝貨期兩周	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	SDTA-650R	BOURNS	24+		2527		詢價(jià)
深圳市德力誠信科技有限公司	SD-TA-9BNS-N21-413-TF	JST	24+	con	100	現(xiàn)貨常備產(chǎn)品原裝可到京北通宇商城查價(jià)格https://www.jbchip.com/index	詢價(jià)
深圳市米特爾科技有限公司	SD-TA-9BNS-N21-413-TF(LF)	JST/日壓	22+	連接器	295167	代理-優(yōu)勢(shì)-原裝-正品-現(xiàn)貨*期貨	詢價(jià)
深圳市賽美科科技有限公司	SD-TA-9BNS-N21-413-TF(LF)	JST		ROHS	13352	一級(jí)代理原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長期供貨	詢價(jià)
深圳市駿創(chuàng)達(dá)科技有限公司	SD-TA-9BNS-N21-413-TF(LF)	JST/日壓	2420+	/	135000	一級(jí)代理,原裝正品!	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	SDTAG-64-1056BD	SANDISK	23+	TSOP	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	SDTAG-64-1056BD	SANDISK	21+	TSOP	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	SDTAG-64-1056BD	SANDISK	2022	TSOP	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	SDTAG-64-1056BD	SANDISK	23+	TSOP	26321	一級(jí)代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、	詢價(jià)

更多SDTA-630-K供應(yīng)商更新時(shí)間2024-11-1 16:05:00

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