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LTC3129EMSE

15V,200mASynchronousBuck-BoostDC/DCConverterwith1.3關(guān)AQuiescentCurrent

LINERLinear Technology

凌力爾特凌特半導(dǎo)體

MF3129-LCDATXX

8/16-bitDataBusStaticRAMCard

DESCRIPTION Mitsubishi’sStaticRAMcardsprovidelargememorycapacitiesonadeviceapproximatelythesizeofacreditcard(85.6mm′54mm′3.3mm).Thecardsusea8/16bitdatabus.Thedevicesuseareplaceablelithiumbatterytomaintaindata.Availablein64Kbyte-4Mbytecapacities,Mitsubis

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

MF3129-LSDATXX

8/16-bitDataBusStaticRAMCard

DESCRIPTION Mitsubishi’sStaticRAMcardsprovidelargememorycapacitiesonadeviceapproximatelythesizeofacreditcard(85.6mm′54mm′3.3mm).Thecardsusea8/16bitdatabus.Thedevicesuseareplaceablelithiumbatterytomaintaindata.Availablein64Kbyte-4Mbytecapacities,Mitsubis

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

MF3129-LYCATXX

8/16-bitDataBusStaticRAMCard

DESCRIPTION Mitsubishi’sStaticRAMcardsprovidelargememorycapacitiesonadeviceapproximatelythesizeofacreditcard(85.6mm′54mm′3.3mm).Thecardsusea8/16bitdata-bus. FEATURES ■UsesTSOP(ThinSmallOutlinePackage)toachieveveryhighmemorydensitycoupledwithhighreliabili

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

MF3129-LZCATXX

8/16-bitDataBusStaticRAMCard

DESCRIPTION Mitsubishi’sStaticRAMcardsprovidelargememorycapacitiesonadeviceapproximatelythesizeofacreditcard(85.6mm′54mm′3.3mm).Thecardsusea8/16bitdata-bus.Thedevicesuseareplaceablelithiumbatterytomaintaindata.Availablein64Kbyte-4Mbytecapacities,Mitsubish

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱電機三菱電機株式會社

NTUD3129P

SmallSignalMOSFET-20V,-180mA,DualP-Channel,1.0x1.0mmSOT-963Package

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

PST3129

ICforCMOSSystemReset

Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25μAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25μAtyp.(whenVDD

MITSUMIMitsumi Electronics, Corp.

三美三美電機株式會社

PST3129

CMOSSystemReset

Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25μAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25μAtyp.(whenVDD

MITSUMIMitsumi Electronics, Corp.

三美三美電機株式會社

SI3129DV

P-Channel80V(D-S)MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

晶體管資料

  • 型號：

    SDT3129

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    功率開關(guān) （PSW）

  • 封裝形式：

    特殊封裝

  • 極限工作電壓：

    120V

  • 最大電流允許值：

    10A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    3CA8E,

  • 最大耗散功率：

    52W

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    F-14

  • vtest：

    120

  • htest：

    999900

  • atest：

    10

  • wtest：

    52

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SIRECTIFIER
24+
MODULE
2100
一級代理/全新原裝現(xiàn)貨 供應(yīng)!!!
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SIRECTIFIER/矽萊克
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原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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標準封裝
5000
原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保
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SZNSCOM/ADMIN/PRODUCT/SOFTPDF
2500pbfreel3kv75aSMB513319
320V30PF
10000
全新原裝現(xiàn)貨 樣品可售
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IDT
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更多SDT3129供應(yīng)商 更新時間2025-4-1 18:09:00

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