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SDS065J030G3

Marking：DS065030G3；Package：TO-247-3L；3 rd Generation 65 0V/ 30 A SiC Schottky Barrier Diode

RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安光電三安光電股份有限公司

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更多SDS065J030G3供應(yīng)商 更新時間2025-4-7 11:00:00

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