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SDS065J016B3

3 rd Generation 650 V/ 16 A SiC Schottky Barrier Diode

RevolutionarysemiconductormaterialSiliconCarbide(SiC) Noreverserecovery Highspeedswitchingperformance Temperatureindependentswitchingbehavior Systemcost/sizesavingsduetoreducedcoolingrequirements Junctiontemperaturerangefrom55to175 RoHScompliant

SANANSanan Optoelectronics Co., Ltd

三安光電三安光電股份有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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更多SDS065J016B3供應(yīng)商 更新時間2025-4-7 11:00:00

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