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SD56120M分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

SD56120M
廠商型號

SD56120M

參數(shù)屬性

SD56120M 封裝/外殼為M252;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻;產(chǎn)品描述:FET RF 65V 860MHZ M252

功能描述

RF POWER TRANSISTORS The LdmoST FAMILY
FET RF 65V 860MHZ M252

文件大小

201.65 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體(ST)集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-8 11:39:00

SD56120M規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

The SD56120M is a common source N-Channel enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor designed for broadband commercial and industrial applications at frequencies up to 1.0 GHz. The SD56120M is designed for high gain and broadband performance operating in common source mode at 32 V. Its internal matching makes it ideal for TV broadcast applications requiring high linearity.

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs

? EXCELLENT THERMAL STABILITY

? COMMON SOURCE CONFIGURATION, PUSHPULL

? POUT = 120 W WITH 13 dB gain @ 860 MHz /32V

? BeO FREE PACKAGE

? INTERNAL INPUT MATCHING

SD56120M屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻。意法半導(dǎo)體(ST)集團制造生產(chǎn)的SD56120M晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    SD56120M

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    860MHz

  • 增益:

    16dB

  • 額定電流(安培):

    14A

  • 功率 - 輸出:

    120W

  • 封裝/外殼:

    M252

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    M252

  • 描述:

    FET RF 65V 860MHZ M252

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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