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SCT070W120G3-4AG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SCT070W120G3-4AG
廠商型號(hào)

SCT070W120G3-4AG

功能描述

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an HiP247-4 package

絲印標(biāo)識(shí)

070W120G3AG

封裝外殼

HiP247-4

文件大小

506.56 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

12 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱(chēng)

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-19 18:30:00

SCT070W120G3-4AG規(guī)格書(shū)詳情

Features

? AEC-Q101 qualified

? Very fast and robust intrinsic body diode

? Extremely low gate charge and input capacitance

? Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

? Source sensing pin for increased efficiency

Applications

? Main inverter (electric traction)

? DC/DC converter for EV/HEV

? On board charger (OBC)

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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