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SAM9N12

The ARM926EJ-S based SAM9CN12 features the frequently requested combination of user...

Description BasedontheARM926EJ-S?processor,theAtmel?SAM9N12/CN11/CN12devicesofferthefrequently-requestedcombinationofuserinterfacefunctionalityandhighdatarateconnectivity,withLCDController,resistivetouch-screen,multipleUARTs,SPI,I2C,full-speedUSBHostandDevicean

AtmelAtmel Corporation

愛特梅爾愛特梅爾公司

SAM9N12_14

One 128-Kbyte internal ROM embedding bootstrap routine

AtmelAtmel Corporation

愛特梅爾愛特梅爾公司

ESD9N12BA

DFN1006-2ESDProtectionDevicesROHS

Descriptions TheESD9N12BAisaTVS(TransientVoltage Suppressor)designedtoprotectsensitiveelectronic componentswhichareconnectedtodataand transmissionlinesfromover-stresscausedbyESD (ElectrostaticDischarge),EFT(ElectricalFastTransients) andlightning. TheESD9N12BAm

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導(dǎo)體

ESD9N12BA

TheESD9N12BAisaTVS(TransientVoltageSuppressor)

Features Stand-offvoltage:±12VMax. Transientprotectionforeachlineaccordingto IEC61000-4-2(ESD):±30kV(contactdischarge) IEC61000-4-5(surge):5.5A(8/20μs) Capacitance:CJ=27pFtyp. Ultra-lowleakagecurrent:IR=0.1nAtyp. Lowclampingvoltage:VCL=20Vtyp.@IPP=16A(TL

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導(dǎo)體廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

ESD9N12BA

BIDIRECTIONALTVSDIODE

Features Protectsonedataorpowerline Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:12V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-5(Lightning)8A(8/20μs) RoHSCompliant A

LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd

雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司

ESD9N12BA

1-Line,Bi-directional,TransientVoltageSuppressors

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai

韋爾股份上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司

ESD9N12V

1-Line,Uni-directional,TransientVoltageSuppressor

WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai

韋爾股份上海韋爾半導(dǎo)體股份有限公司

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更多SAM9N12供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-17 17:53:00

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