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VerysmallSMTpackage | OSRAMOSRAM GmbH 艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導體 | OSRAM | ||
SiliconPNPhotodiodewithV貫Characteristics | OSRAMOSRAM GmbH 艾邁斯歐司朗歐司朗光電半導體 | OSRAM | ||
2048-WORDBY8-BITERASABLEPROGRAMMABLEREAD-ONLYMEMORIES | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI | ||
CrystalUnitSMD2.5x2.012.0MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan | TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD. | TAI-SAW | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2716AGRisP-ChannelMOSFieldEffect Transistordesignedforpowermanagementapplicationsof notebookcomputersandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?7.0A) RDS(on)2=11.3mΩMAX.(VGS | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2716GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–7.0A) RDS(on)2=11.3mΩMAX.(VGS=–4. | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFET | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會社 | NEC |
晶體管資料
- 型號:
- 別名:
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
差分放大 (Diff)
- 封裝形式:
直插封裝
- 極限工作電壓:
50V
- 最大電流允許值:
- 最大工作頻率:
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù):
8
- 可代換的型號:
3DG110C,
- 最大耗散功率:
0.3W
- 放大倍數(shù):
β>150
- 圖片代號:
D-60
- vtest:
50
- htest:
999900
- atest:
0
- wtest:
0.3
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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SUP-TECH |
23+ |
2.75X1.85 |
11200 |
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Bourns |
22+ |
NA |
5889 |
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7350 |
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FUJ |
24+ |
3000 |
自己現(xiàn)貨 |
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RFMD |
QFN |
6698 |
詢價 | ||||
TC |
7634 |
CAN-6P |
5 |
普通 |
詢價 | ||
SILAN |
2020+ |
TO94 |
4100 |
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
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SILAN/士蘭微 |
24+ |
65230 |
詢價 |