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3phiRoundNarrowViewingAngleLEDs | SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會(huì)社 | Sanken | ||
3phiRoundNarrow-directivityLED 3φRoundNarrowViewingAngleLEDs | SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會(huì)社 | Sanken | ||
3phiRoundNarrow-directivityLED 3φRoundNarrowViewingAngleLEDs | SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會(huì)社 | Sanken | ||
3phiRoundNarrowViewingAngleLEDs | SankenSanken electric 三墾三墾電氣株式會(huì)社 | Sanken | ||
Extremelyhighdv/dtcapability | SILIKRONSilikron Semiconductor Co.,LTD. 新硅能微電子新硅能微電子(蘇州)有限公司 | SILIKRON | ||
HC49SMD12.666MHzCrystalUnit Features: GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature DescriptionandApplications: HC49SMDcrystalunitforuseinwirelesstelecommunicationsdevices | TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD. | TAI-SAW | ||
ComplementarySwitchFETDrivers | TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司 | TI | ||
ComplementarySwitchFETDrivers | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | ||
ComplementarySwitchFETDrivers | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | ||
ComplementarySwitchFETDrivers | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | ||
ComplementarySwitchFETDrivers | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | ||
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ComplementarySwitchFETDrivers | TI1Texas Instruments 德州儀器 | TI1 | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2715GRisP-ChannelMOSFETdesignedfor powermanagementapplicationsofnotebookcomputers andLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=4.6mΩMAX.(VGS=?10V,ID=?9.0A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=?4.5V,ID=?9.0A) ?L | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
1.2GHzLOWPOWERCONSUMPTIONWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT 1.2GHzLOWPOWERCONSUMPTIONWIDEBANDAMPLIFIERSILICONBIPOLARMONOLITHICINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Lowpowerconsumption:15mW(VCC=3.4V,ICC=4.5mA)TYP. ?Highpowergain:19dBTYP.@f=0.5GHz ?Excellentfrequencyresponse:1.2GHzTYP.@3dBdownbelowthega | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社 | NEC | ||
BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Lowpowerconsumption:15mW(VCC=3.4V,ICC=4.5mA)TYP. ?Highpowergain:19dBTYP.@f=0.5GHz ?Excellentfrequencyresponse:1.2GHzTYP.@3dBdownbelowthegainat0.1GHz ?Inputandoutputmatching:50: ?Supersmallpackage:6pinminimold | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
LOWPOWERCONSUMPTIONSILICONMMICAMPLIFIER | NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社 | NEC |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
差分放大 （Diff）
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
50V
- 最大電流允許值：
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
8
- 可代換的型號(hào)：
3DG110C,
- 最大耗散功率：
0.3W
- 放大倍數(shù)：
β>40
- 圖片代號(hào)：
D-60
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0
- wtest：
0.3
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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SUP-TECH |
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自己現(xiàn)貨 |
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RFMD |
QFN |
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詢價(jià) | ||||
TC |
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CAN-6P |
5 |
普通 |
詢價(jià) | ||
SILAN |
2020+ |
TO94 |
4100 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可 |
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SILAN/士蘭微 |
24+ |
65230 |
詢價(jià) |
