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S9004P2CT

30A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDropForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionA

DIODES

Diodes Incorporated

S9005P2CT

20A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Features ?SchottkyBarrierChip ?GuardRingDieConstructionforTransientProtection ?LowPowerLoss,HighEfficiency ?HighSurgeCapability ?HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ?ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection

DIODES

Diodes Incorporated

S9011

TRANSISTOR竊?NPN 竊

TRANSISTOR（NPN） FEATURE Powerdissipation PCM:0.31W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.03A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55℃to+150℃

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長電科技江蘇長電科技股份有限公司

S9011

Marking：1T；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●CollectorCurrent.(IC=30mA） ●Powerdissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ●AMconverter,AM/FMifamplifiergeneralpurposetransistor

BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited

銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司

S9011

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

TRANSISTOR（NPN） FEATURE Powerdissipation PCM:0.31W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.03A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55℃to+150℃

DAYADaya Electric Group Co., Ltd.

大亞電器集團(tuán)大亞電器集團(tuán)有限公司

S9011

NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●CollectorCurrent.(IC=30mA） ●Powerdissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ●AMconverter,AM/FMifamplifiergeneralpurposetransistor.

DSK

Diode Semiconductor Korea

S9011

TRANSISTOR (NPN)

FEATURE Powerdissipation PCM:0.31W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.03A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55℃to+150℃

WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳實(shí)業(yè)深圳市永而佳實(shí)業(yè)有限公司

S9011

Marking：1T；Package：SOT-23；NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor

FEATURES ●CollectorCurrent.(IC=30mA） ●Powerdissipation.(PC=200mW) APPLICATIONS ●AMconverter,AM/FMifamplifiergeneralpurposetransistor

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

S9011

SILICON EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Features ?CollectorCurrent.(IC=30mA） ?Powerdissipation.(PC=200mW) MechanicalData ?Case:SOT-23,MoldedPlastic ?Terminals:SolderableperMIL-STD-202,Method208 ?Polarity:SeeDiagrams ?Approx.Weight:0.008grams

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

S9011

Power dissipation

FEATURE Powerdissipation PCM:0.2W（Tamb=25℃） Collectorcurrent ICM:0.03A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55℃to+150℃

SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

時科廣東時科微實(shí)業(yè)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    S90

  • 制造商：

    DIODES

  • 制造商全稱：

    Diodes Incorporated

  • 功能描述：

    30A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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更多S90供應(yīng)商 更新時間2025-4-18 10:16:00

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