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S29GL256N11TFI020

3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit??Process Technology

512Megabit,256Megabit,and128Megabit,3.0Volt-onlyPageModeFlashMemoryfeaturing110nmMirrorBit?ProcessTechnology GeneralDescription TheS29GL512/256/128Nfamilyofdevicesare3.0Vsinglepowerflashmemorymanufacturedusing110nmMirrorBittechnology.TheS29GL512Nisa5

spansionSPANSION

飛索飛索半導(dǎo)體

S29GL256N11TFI020

包裝:托盤 封裝/外殼:56-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 類別:集成電路(IC) 存儲器 描述:IC FLASH MEMORY NOR PARALLEL

CYP

Cypress Semiconductor Corp

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    S29GL256N11TFI020

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 系列:

    GL-N

  • 包裝:

    托盤

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    閃存

  • 技術(shù):

    FLASH - NOR

  • 存儲容量:

    256Mb(32M x 8,16M x 16)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    110ns

  • 電壓 - 供電:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    56-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    56-TSOP

  • 描述:

    IC FLASH MEMORY NOR PARALLEL

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更多S29GL256N11TFI020供應(yīng)商 更新時間2024-11-8 15:06:00