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S20C100CE中文資料統(tǒng)懋?dāng)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

S20C100CE
廠商型號(hào)

S20C100CE

功能描述

Schottky Barrier Power Rectifiers

文件大小

169.61 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Mospec Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

MOSPEC統(tǒng)懋

中文名稱

統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-23 17:13:00

S20C100CE規(guī)格書詳情

Using the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art geometry features epitaxial construction with oxide passivation and metal overlay contact. Ideally suited for low voltage, high frequency rectification, or as free wheeling and polarity protection diodes.

* Low Forward Voltage.

* Low Switching noise.

* High Current Capacity

* Guarantee Reverse Avalanche.

* Guard-Ring for Stress Protection.

* Low Power Loss & High efficiency.

* 150℃ Operating Junction Temperature

* Low Stored Charge Majority Carrier Conduction.

* Plastic Material used Carries Underwriters Laboratory

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    S20C100CE

  • 制造商:

    MOSPEC

  • 制造商全稱:

    Mospec Semiconductor

  • 功能描述:

    Schottky Barrier Power Rectifiers

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MOSPEC
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