S150JR中文資料GENESIC數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
廠商型號 |
S150JR |
參數(shù)屬性 | S150JR 封裝/外殼為DO-205AA,DO-8,接線柱;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單;產(chǎn)品描述:DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA |
功能描述 | Silicon Standard Recovery Diode |
文件大小 |
751.81 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
3 頁 |
生產(chǎn)廠商 | GeneSiC Semiconductor, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
GENESIC |
中文名稱 | GeneSiC Semiconductor, Inc.官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-15 23:00:00 |
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
S150JR
- 制造商:
GeneSiC Semiconductor
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
- 包裝:
散裝
- 二極管類型:
標(biāo)準(zhǔn)型,反極性
- 電流 - 平均整流 (Io):
150A
- 速度:
標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns,> 200mA(Io)
- 安裝類型:
底座,接線柱安裝
- 封裝/外殼:
DO-205AA,DO-8,接線柱
- 供應(yīng)商器件封裝:
DO-205AA(DO-8)
- 工作溫度 - 結(jié):
-65°C ~ 200°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY(威世) |
23+ |
插件,P=6.4mm |
7350 |
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Origin |
專業(yè)模塊 |
MODULE |
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詢價 | ||
VISHAY/威世 |
12+ |
DIP |
61800 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
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Origin |
17+ |
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ORIGIN |
23+ |
150A1600 |
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NIEC |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
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GENESIC |
20+ |
DO-205 |
326 |
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原廠 |
2023+ |
模塊 |
600 |
專營模塊,繼電器,公司原裝現(xiàn)貨 |
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24+ |
N/A |
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