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LMBT4403LT1	文件：217.47 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistors(PNPSILICON)	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC
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MMBT4403LT1	文件：43.01 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT4403LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT4403LT1	文件：38.41 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK
MMBT4403LT1	文件：147.1 Kbytes Page：8 Pages	SwitchingTransistor(PNPSilicon) SwitchingTransistor PNPSilicon Features ?Pb?FreePackageisAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
MMBT4403LT1	文件：301.08 Kbytes Page：8 Pages	SwitchingTransistor SwitchingTransistor PNPSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司	Motorola
MMBT4403LT1	文件：254.84 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistor(PNPSilicon) GeneralPurposeTransistors PNPSilicon	LRCLeshan Radio Company 樂山無線電樂山無線電股份有限公司	LRC
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MMBT4403LT1	文件：156.55 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ?Powerdissipation PCM:0.225W(Tamb=25℃) ?PluseDrain ICM:-0.6mA ?Reversevoltage V(BR)CBO:-40V ?Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳實業(yè)深圳市永而佳實業(yè)有限公司	WINNERJOIN
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