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RZ1214B65Y中文資料飛利浦?jǐn)?shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
RZ1214B65Y |
| 功能描述 | NPN microwave power transistor |
| 文件大小 |
57.48 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
8 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Philips【飛利浦】 |
| 中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-4-10 11:38:00 |
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DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a SOT443A metal ceramic flange package with the base connected to the flange.
FEATURES
? Interdigitated structure provides high emitter efficiency
? Diffused emitter ballasting resistor providing excellent current sharing and withstanding a high VSWR
? Gold metallization realizes very stable characteristics and excellent lifetime
? Multicell geometry gives good balance of dissipated power and low thermal resistance
? Internal input and output matching ensures good stability and allows an easier design of wideband circuits.
APPLICATIONS
? Intended for use in common base class C wideband pulsed power amplifiers for L-band radar applications in the 1.2 to 1.4 GHz band.
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RZ |
1822+ |
SOP8 |
6852 |
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PHILIPS/飛利浦 |
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microwavepower |
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現(xiàn)貨供應(yīng) |
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24+ |
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本站現(xiàn)庫(kù)存 |
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SAMWH |
2022+ |
DIP |
65000 |
原廠代理 終端免費(fèi)提供樣品 |
詢價(jià) |
