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RT1N434S

Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type

DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ?Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.

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1N434

silicondiode

SILICONDIODE

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

1N434A

silicondiode

SILICONDIODE

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商未分類制造商

MMDT1N434

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandinterfacecircuitanddrivecircuit applications Features ?Withbuilt-inbiasresistors ?Simplifycircuitdesign ?Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess

SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半導(dǎo)體先之科半導(dǎo)體科技(東莞)有限公司

RT1N434C

TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType

DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ?Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.

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RT1N434M

TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType

DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ?Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.

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RT1N434U

TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType

DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ?Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.

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RT1N434X

TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType

DESCRIPTION RT1N434Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P434X. FEATURE ?Built-inbiasresistor(R1=4.7kΩ,R2=22kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.

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晶體管資料

  • 型號:

    RT1N434S

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-N+R

  • 性質(zhì):

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    50V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    A-57

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.3

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
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