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THN6501Z

SiGeNPNTransistor

□Features oLowNoiseFigure NF=1.0dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighPowerGain MAG=15dBatf=1GHz,VCE=3V,IC=7mA oHighTransitionFrequency fT=9GHzatVCE=3V,IC=30mA □Application LNAandwidebandamplifieruptoGHzrange

AUK

AUK corp

TM6501

RFAMPLIFIER

SPECTRUM

Spectrum Instrumentation GmbH

TM6501

RFAMPLIFIERMODEL

APITECH

API Technologies Corp

TMR6501

SingleChannelTMRMagneticPatternRecognitionSensor

FeaturesandBenefits ?Highsensitivityandexcellentgapperformances ?Outputvoltageisindependentofscanningspeed ?Differentialoutput,highCMRRperformance ?Singlechanneldetection,5mmdetectionwidth ?Compactsize:L10.5mmxW8mmxH9.6mm ?Simplestructureforlowcostso

MULTIDIMENSIONMultiDimension Technology Co.,Ltd.

多維科技江蘇多維科技有限公司

TN6501

RFAMPLIFIERMODEL

APITECH

API Technologies Corp

TPC6501

TransistorSiliconNPNEpitaxialType

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TPC6501

SiliconNPNEpitaxialType

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TPC6501

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TSHA6501

InfraredEmittingDiode,RoHSCompliant,875nm,GaAlAs

Description TheTSHA650.seriesarehighefficiencyinfraredemittingdiodesinGaAlAsonGaAlAstechnology,moldedinaclear,untintedplasticpackage. IncomparisonwiththestandardGaAsonGaAstechnologythesehighintensityemittersfeatureabout70radiantpowerimprovement. Incontras

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

UM6501

Multi-lineESD/EMIProtectionsforSignalLines

UNIONSEMIUnion Semiconductor, Inc.

英聯(lián)英聯(lián)半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    RS6501-ADSEP

  • 制造商：

    ORISTER

  • 制造商全稱：

    Orister Corporation

  • 功能描述：

    150KHz, 40V, 2A PWM Buck DC/DC Converter

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ORISTER
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更多RS6501-ADSEP供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-13 10:16:00

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