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零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
RN2709JE	文件：340.91 Kbytes Page：6 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
RSZ-2709	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RSZ-2709HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
SOM-A2709	文件：383.08 Kbytes Page：2 Pages	SOMwithMarvellXScalePXA270processorWindowsCE5.0	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研華科技研華科技（中國）有限公司	ADVANTECH
TZ2709A	文件：95.69 Kbytes Page：7 Pages	CrystalUnitSMD3.2x2.520.945MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunitforcustomerforuseinwirelesscommunications devices,espec	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UC2709	文件：178.82 Kbytes Page：5 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TITexas Instruments 德州儀器美國德州儀器公司	TI
UC2709	文件：553.61 Kbytes Page：6 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
UC2709DW	文件：553.61 Kbytes Page：6 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
UC2709N	文件：553.61 Kbytes Page：6 Pages	DUALHIGH-SPEEDFETDRIVER	TI1Texas Instruments 德州儀器	TI1
UPA2709AGR	文件：344 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2709AGRisN-channelMOSFieldEffect TransistordesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofnotebookcomputer. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) ?Lo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPA2709GR	文件：341.86 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2709GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applicationsofnotebookcomputer. FEATURES ?Lowon-stateresistance RDS(on)1=10.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=15mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) ?Low	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPC2709T	文件：313.12 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES ?Supplyvoltage:VCC=4.5to5.5V ?Widebandresponse:fu=2.3GHzTYP.@3dBbandwidth ?Mediumoutputpower:PO(sat)=+11.5dBm@f=1GHzwithexternalinductor ?Powergain:GP=23dBTYP.@f=1GHz ?Portimpedance:input/output50W	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPC2709T	文件：96.88 Kbytes Page：6 Pages	2.5GHzSILICONMMICWIDE-BANDAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2709TandUPC2712TareSiliconMonolithicintegratedcircuitsmanufacturedusingtheNESATIIIprocess.Thesedevicesaresuitableasbufferamplifiersforwide-bandapplications.Theyaredesignedforlowcostgainstagesincellularradios,GPSreceivers,DBStuners,PCN,a	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
UPC2709T	文件：95.82 Kbytes Page：6 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER DESCRIPTION TheμPC2709TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedas1stIFamplifierforDBStuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. TheμPC2709TBhascompatiblepinconnectionsandperformancetoμPC2709Tofconventionalm	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
UPC2709TB	文件：416.77 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2709TB	文件：320.16 Kbytes Page：14 Pages	5V,SILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2709TB	文件：95.82 Kbytes Page：6 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER DESCRIPTION TheμPC2709TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedas1stIFamplifierforDBStuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. TheμPC2709TBhascompatiblepinconnectionsandperformancetoμPC2709Tofconventionalm	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC
UPC2709TB	文件：470.97 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2709TB	文件：225.08 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES ?High-densitysurfacemounting:6-pinsuperminimoldpackage(2.0′1.25′0.9mm) ?Widebandresponse:fu=2.3GHzTYP.@3dBbandwidth ?Mediumoutputpower:PO(sat)=+11.5dBm@f=1GHzwithexternalinductor ?Supplyvoltage:VCC=4.5to5.5V ?Powergain:GP=23dBT	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
UPC2709TB	文件：93.59 Kbytes Page：16 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞薩日本瑞薩電子株式會(huì)社	NEC

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
RN2709JE
制造商：
TOSHIBA
制造商全稱：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市科雨電子有限公司	RN2709JE(TE85LF)	TOSHIBA	1809+	SOT-553	16750	就找我吧!--邀您體驗(yàn)愉快問購元件!	詢價(jià)
深圳市鵬順微電子科技有限公司	RN2709JE(TE85L,F)	Toshiba Semiconductor and Stor	2022+	ESV	38550	全新原裝支持表配單中國著名電子元器件獨(dú)立分銷	詢價(jià)
現(xiàn)代芯城（深圳）科技有限公司	RN2709JE(TE85L,F)		24+	N/A	57000	一級(jí)代理-主營優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇	詢價(jià)
深圳市宏捷佳電子科技有限公司	RN2709JE(TE85LF)	Toshiba Semiconductor and Stor	24+	SOT-553	9350	獨(dú)立分銷商公司只做原裝誠心經(jīng)營免費(fèi)試樣正品保證	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	RN2709LF	TOSHIBA	23+	SOT353	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	RN2709超小型管	TOSHIBA/東芝	23+	SOT353	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	RN2709超小型管	TOSHIBA/東芝	2022	SOT353	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
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更多RN2709JE供應(yīng)商更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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