首頁>RN2119MFV,L3F>詳情

RN2119MFV 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置 TOSHIBA/東芝

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    RN2119MFV

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    TOSHIBA/東芝

  • 庫存數(shù)量：

    990000

  • 產(chǎn)品封裝：

    VESM

  • 生產(chǎn)批號：

    24+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2025-1-13 19:09:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：RN2119MFV品牌：TOSHIBA/東芝

明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨

  • 芯片型號：

    RN2119MFV

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    TOSHIBA【東芝】詳情

  • 廠商全稱：

    Toshiba Semiconductor

  • 中文名稱：

    株式會社東芝

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    5 頁

  • 文件大小：

    161.06 kb

  • 資料說明：

    TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    RN2119MFV,L3F

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    120 @ 1mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 500μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    100nA（ICBO）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    VESM

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市明嘉萊科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    王先生/劉小姐

  • 手機(jī)：

    19168723357

  • 詢價：
  • 電話：

    19168723354/19168723317

  • 傳真：

    0755-83939536

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振華路118號華麗大院西座1棟518

相近型號