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RN2118分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書(shū)PDF中文資料

RN2118
廠商型號(hào)

RN2118
參數(shù)屬性

RN2118 封裝/外殼為SOT-723；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
功能描述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
封裝外殼

SOT-723
文件大小

275.82 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

TOSHIBA【東芝】

中文名稱(chēng)

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-25 11:29:00
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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    RN2118MFV(TPL3)

  • 制造商：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型：

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    50 @ 10mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    300mV @ 500μA，5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    500nA

  • 安裝類(lèi)型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    SOT-723

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    VESM

  • 描述：

    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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