首頁 >RMW200N03TB>規(guī)格書列表
| 零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
DualN-Channel30V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
OptiMOS?2Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
OptiMOS2Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
N-Channel20V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel30V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
4.5VDriveNchMOSFET | ROHMRohm 羅姆羅姆半導體集團 | ROHM | ||
N-Channel30V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
DualN-ChannelMOSFET | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 臺灣半導體臺灣半導體股份有限公司 | TSC | ||
200A,30VN-CHANNELPOWERMOSFET | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC |
詳細參數(shù)
- 型號：
RMW200N03TB
- 功能描述：
MOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 20A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Rohm |
20+ |
N/A |
4821 |
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詢價 | ||
ROHM |
1809+ |
SOP-8 |
3675 |
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詢價 | ||
ROH |
1535+ |
1415 |
詢價 | ||||
Rohm Semiconductor |
22+ |
8SMD Flat Lead |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
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Rohm Semiconductor |
2022+ |
8-SMD,扁平引線 |
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ROHM/羅姆 |
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8-PSOP |
25000 |
只有原裝絕對原裝,支持BOM配單! |
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ROHM/羅姆 |
22+ |
8-PSOP |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢價 | ||
ROH |
23+ |
1415 |
全新原裝，歡迎來電咨詢 |
詢價 | |||
ROHM/羅姆 |
22+ |
SOP-8 |
9000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
ROHM/羅姆 |
22+ |
PSOP8 |
37440 |
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