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RM4P20ES6中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM4P20ES6
廠商型號(hào)

RM4P20ES6

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

4P20

封裝外殼

SOT23-6

文件大小

629.4 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-3 17:02:00

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RM4P20ES6規(guī)格書詳情

General Features

VDS = -20V,ID = -4.1A

RDS(ON) <52mΩ @VGS=-4.5V

High power and current handing capability

Lead free product is acquired

Surface mount package

RDS(ON) <80mΩ @ VGS=-2.5V

ESD: HBM >2000V

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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