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RM35P100T2中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
RM35P100T2 |
| 功能描述 | P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-220-3L |
| 文件大小 |
344.45 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Rectron Semiconductor |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RECTRON |
| 中文名稱 | Rectron Semiconductor官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-17 18:21:00 |
| 人工找貨 | RM35P100T2價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
RM35P100T2規(guī)格書詳情
General Features
VDS =-100V,ID =-35A
RDS(ON) <50m Ω @ VGS=-10V
Super high dense cell design
Advanced trench process technology
Reliable and rugged
High density celldesign for ultra low on-resistance
RDS(ON)
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
亞成微 |
1948+ |
SOT23-6 |
18562 |
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SOP8 |
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亞成微 |
23+ |
SOP-8 |
11200 |
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AIRBORN INC. |
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SOP8 |
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SOP8 |
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00/01+ |
SOP8 |
89 |
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SSM |
23+ |
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QFN16 |
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