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RM1A5N30S3E中文資料RECTRON數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RM1A5N30S3E
廠商型號

RM1A5N30S3E

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

絲印標(biāo)識

1A5N30

封裝外殼

SOT-323

文件大小

166.26 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Rectron Semiconductor
企業(yè)簡稱

RECTRON

中文名稱

Rectron Semiconductor官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-5-31 11:06:00

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RM1A5N30S3E規(guī)格書詳情

General Features

VDS =30V,ID =1.5A

RDS(ON) <132mΩ @ VGS=10V

High density cell design for ultra low Rdson

Fully characterized avalanche voltage and current

Excellent package for good heat dissipation

RDS(ON) <144mΩ @ VGS=4.5V

RDS(ON)

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