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RJQ6003DPM-00T0

600V - 20A - IGBT and Diode High Speed Power Switching

Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω

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瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多RJQ6003DPM-00T0供應商 更新時間2024-11-19 15:30:00

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