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RJK60S3DPD-00J2

600V - 12A - SJ MOS FET High Speed Power Switching

Features ?SuperjunctionMOSFET ?Lowon-resistance RDS(on)=0.35Ωtyp.(atID=6A,VGS=10V,Ta=25°C) ?Highspeedswitching tf=21nstyp.(atID=6A,VGS=10V,RL=50,Rg=10,Ta=25°C)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

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更多RJK60S3DPD-00J2供應(yīng)商 更新時間2025-3-6 14:00:00