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RJH60F6DPK

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=45A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=95nstyp.(atIC=30A,ResistiveLoad,VCC=300V,VGE=15V,Rg=5??

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJH60F6DPK-00-T0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=45A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=95nstyp.(atIC=30A,ResistiveLoad,VCC=300V,VGE=15V,Rg=5??

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RJH60F6DPK_11

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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RJH60F6DPK_15

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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RJH60F6DPK-00#T0

Package：TO-220-3 整包；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 85A 297.6W TO-3P

Renesas Electronics America Inc

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    RJH60F6DPK

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多RJH60F6DPK供應(yīng)商 更新時間2025-3-29 11:30:00

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