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RJH60D7BDPQ-E0分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RJH60D7BDPQ-E0
廠商型號

RJH60D7BDPQ-E0

參數(shù)屬性

RJH60D7BDPQ-E0 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 90A 300W TO-247

功能描述

600V - 50A - IGBT Application: Inverter

封裝外殼

TO-247-3

文件大小

333.49 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-2-20 22:59:00

RJH60D7BDPQ-E0規(guī)格書詳情

Features

? Short circuit withstand time (5 ?s typ.)

? Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.6 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

? Built in fast recovery diode (25 ns typ.) in one package

? Trench gate and thin wafer technology

? High speed switching

tf = 50 ns typ. (at VCC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 50 A, Rg = 5 ?, Ta = 25°C, inductive load)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    RJH60D7BDPQ-E0#T2

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,50A

  • 開關(guān)能量:

    700μJ(開),1.4mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    60ns/180ns

  • 測試條件:

    300V,50A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 600V 90A 300W TO-247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
瑞薩
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優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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