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RJH60D1DPE-00-J3中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJH60D1DPE-00-J3
廠商型號

RJH60D1DPE-00-J3

功能描述

Silicon N Channel IGBT Application: Inverter

文件大小

170.02 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-29 14:08:00

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RJH60D1DPE-00-J3規(guī)格書詳情

Features

? Short circuit withstand time (5 μs typ.)

? Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.9 V typ. (at IC = 10 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

? Built in fast recovery diode (100 ns typ.) in one package

? Trench gate and thin wafer technology

? High speed switching

tf = 75 ns typ. (at VCC = 300 V, VGE = 15 V, IC = 10 A, Rg = 5 Ω, inductive load)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RJH60D1DPE-00-J3

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT Application

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Renesas
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