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RGTVX6TS65D分立半導體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RGTVX6TS65D
廠商型號

RGTVX6TS65D

參數(shù)屬性

RGTVX6TS65D 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT

功能描述

650V 80A Field Stop Trench IGBT
IGBT

文件大小

1.27927 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-8 20:00:00

RGTVX6TS65D規(guī)格書詳情

Features

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) High Speed Switching & Low Switching Loss

3) Short Circuit Withstand Time 2μs

4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

Application

Solar Inverter

UPS

Welding

IH

PFC

RGTVX6TS65D屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。羅姆半導體集團制造生產(chǎn)的RGTVX6TS65D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    RGTVX6TS65DGC11

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,80A

  • 開關(guān)能量:

    2.65mJ(開),1.8mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    45ns/201ns

  • 測試條件:

    400V,80A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247N

  • 描述:

    IGBT

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
Rohm(羅姆)
23+
NA/
8735
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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ROHM(羅姆)
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ROHM只做原裝
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TO-247-3
5000
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