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RGTV60TK65D分立半導體產品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RGTV60TK65D
廠商型號

RGTV60TK65D

參數(shù)屬性

RGTV60TK65D 封裝/外殼為TO-3PFM,SC-93-3;包裝為管件;類別為分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產品描述:650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

功能描述

650V 30A Field Stop Trench IGBT
650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

文件大小

1.82289 Mbytes

頁面數(shù)量

12

生產廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導體集團官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-8 20:00:00

RGTV60TK65D規(guī)格書詳情

Features

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) High Speed Switching & Low Switching Loss

3) Short Circuit Withstand Time 2μs

4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

Applications

Solar Inverter

UPS

Welding

IH

PFC

RGTV60TK65D屬于分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。羅姆半導體集團制造生產的RGTV60TK65D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    RGTV60TK65DGVC11

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.9V @ 15V,30A

  • 開關能量:

    570μJ(開),500μJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    33ns/105ns

  • 測試條件:

    400V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3PFM,SC-93-3

  • 供應商器件封裝:

    TO-3PFM

  • 描述:

    650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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