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RGT8NS65D 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ROHM/羅姆

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  • 廠家型號(hào)：

    RGT8NS65D

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ROHM/羅姆

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    50000

  • 產(chǎn)品封裝：

    SMDDIP

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-6 17:47:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：RGT8NS65D品牌：ROHM/羅姆

原裝正品.假一罰十

  • 芯片型號(hào)：

    RGT8NS65D

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ROHM【羅姆】詳情

  • 廠商全稱：

    Rohm

  • 中文名稱：

    羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    12 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    721.51 kb

  • 資料說(shuō)明：

    650V 4A Field Stop Trench IGBT

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    RGT8NS65DGTL

  • 制造商：

    Rohm Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，4A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    17ns/69ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，4A，50歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    LPDS

  • 描述：

    IGBT 650V 8A 65W TO-263S

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳廊盛科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李先生

  • 手機(jī)：

    18682365538

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    18682365538

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道上步工業(yè)區(qū)501棟410室

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