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RGT30TM65D分立半導體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
RGT30TM65D |
參數(shù)屬性 | RGT30TM65D 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:FIELD STOP TRENCH IGBT |
功能描述 | 650V 15A Field Stop Trench IGBT |
文件大小 |
1.29186 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
13 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Rohm |
企業(yè)簡稱 |
ROHM【羅姆】 |
中文名稱 | 羅姆半導體集團官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-8 20:00:00 |
RGT30TM65D規(guī)格書詳情
RGT30TM65D屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。羅姆半導體集團制造生產(chǎn)的RGT30TM65D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
RGT30TM65DGC9
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,15A
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
18ns/64ns
- 測試條件:
400V,15A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應商器件封裝:
TO-220NFM
- 描述:
FIELD STOP TRENCH IGBT
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/羅姆 |
23+ |
NA/ |
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ROHM |
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ROHM |
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ROHM/羅姆 |
2022 |
TO-220N |
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ROHM Semiconductor |
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Rohm Semiconductor |
22+ |
LPDS (TO263S) |
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ROHM/羅姆 |
23+ |
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