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RGT30TM65D分立半導體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RGT30TM65D
廠商型號

RGT30TM65D

參數(shù)屬性

RGT30TM65D 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:FIELD STOP TRENCH IGBT

功能描述

650V 15A Field Stop Trench IGBT
FIELD STOP TRENCH IGBT

文件大小

1.29186 Mbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-11-8 20:00:00

RGT30TM65D規(guī)格書詳情

RGT30TM65D屬于分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。羅姆半導體集團制造生產(chǎn)的RGT30TM65D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    RGT30TM65DGC9

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,15A

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    18ns/64ns

  • 測試條件:

    400V,15A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 供應商器件封裝:

    TO-220NFM

  • 描述:

    FIELD STOP TRENCH IGBT

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