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RGT30NS65DGTL 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ROHM/羅姆

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原廠料號(hào)：RGT30NS65DGTL品牌：ROHM

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RGT30NS65DGTL是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ROHM/Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝TO-263/TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB的RGT30NS65DGTL晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    RGT30NS65DGTL

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    ROHM【羅姆】詳情

  • 廠商全稱：

    Rohm

  • 中文名稱：

    羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    RGT30NS65DGTL

  • 制造商：

    Rohm Semiconductor

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.1V @ 15V，15A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    18ns/64ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，15A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    LPDS

  • 描述：

    IGBT 650V 30A 133W TO-263S

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市科雨電子有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    汪小姐

  • 手機(jī)：

    17147291886

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    151-7354-7089

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2418室

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