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RGS00TS65EHR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料
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| 廠商型號(hào) |
RGS00TS65EHR |
| 參數(shù)屬性 | RGS00TS65EHR 封裝/外殼為T(mén)O-247-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單；產(chǎn)品描述：8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650 |
| 功能描述 | 650V 50A Field Stop Trench IGBT |
| 文件大小 |
982.77 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
12 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Rohm |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ROHM【羅姆】 |
| 中文名稱 | 羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-19 13:30:00 |
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Features
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Short Circuit Withstand Time 8μs
3) Qualified to AEC-Q101
4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
Application
General Inverter
for Automotive and Industrial Use
RGS00TS65EHR屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的RGS00TS65EHR晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
RGS00TS65EHRC11
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 類(lèi)別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- IGBT 類(lèi)型：
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，50A
- 輸入類(lèi)型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：
36ns/115ns
- 測(cè)試條件：
400V，50A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-40°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-247N
- 描述：
8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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