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RGCL80TS60分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RGCL80TS60
廠商型號

RGCL80TS60

參數(shù)屬性

RGCL80TS60 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:LOW VCE(SAT) TYPE, 600V 40A, FRD

功能描述

600V 40A Field Stop Trench IGBT
LOW VCE(SAT) TYPE, 600V 40A, FRD

文件大小

755.15 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2024-11-15 20:00:00

RGCL80TS60規(guī)格書詳情

RGCL80TS60屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。羅姆半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的RGCL80TS60晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    RGCL80TS60DGC13

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.8V @ 15V,40A

  • 開關(guān)能量:

    1.11mJ(開),1.68mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    53ns/227ns

  • 測試條件:

    400V,40A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247G

  • 描述:

    LOW VCE(SAT) TYPE, 600V 40A, FRD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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