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RFP30N06LE中文資料HARRIS數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
RFP30N06LE |
| 功能描述 | 30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-220AB |
| 文件大小 |
91.17 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Harris Corporation |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
HARRIS |
| 中文名稱(chēng) | Harris Corporation |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-3 15:00:00 |
| 人工找貨 | RFP30N06LE價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
RFP30N06LE規(guī)格書(shū)詳情
Description
The RFP30N06LE, RF1S30N06LE and RF1S30N06LESM are N-Channel power MOSFETs manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. They were designed for use in applications such as switch ing regulators, switching converters, motor drivers and relay drivers. These transistors can be operated directly from inte grated circuits.
Features
? 30A, 60V
? rDS(ON) = 0.047?
? 2kV ESD Protected
? Temperature Compensating PSPICE Model
? Peak Current vs Pulse Width Curve
? UIS Rating Curve
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
RFP30N06LE
- 功能描述：
MOSFET TO-220AB N-Ch Power
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi(臺(tái)灣微碧) |
2447 |
DDPAK(TO-263) |
105000 |
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詢價(jià) | ||
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38550 |
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詢價(jià) | ||
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23+ |
RFP30N06LE |
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詢價(jià) | ||
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詢價(jià) |
