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RFM12N20中文資料Intersil數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RFM12N20
廠商型號(hào)

RFM12N20

功能描述

12A, 180V and 200V, 0.250 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

文件大小

35.64 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-10 11:13:00

RFM12N20規(guī)格書詳情

Description

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

Formerly developmental type TA09293.

Features

? 12A, 180V and 200V

? rDS(ON) = 0.250?

? Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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