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RF3L05200CB4

200 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Features ?Highefficiencyandlineargainoperations ?IntegratedESDprotection ?Largepositiveandnegativegate-sourcevoltagerangeforimprovedclassC operation ?IncompliancewiththeEuropeandirective2002/95/EC Description TheRF3L05200CB4isa200W,28/32V,LDMOSFETdesig

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多RF3L05200CB4供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-25 15:45:00

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