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RM2304	文件：186.08 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RM2304E	文件：682.41 Kbytes Page：7 Pages	N-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology. FEATURES RDS(ON)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
RN2304	文件：261.5 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBATransistorSiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications ●Withbuilt-inbiasresistors ●Simplifycircuitdesign ●Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess ●ComplementarytoRN1301~1306	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
RSZ-2304	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
RSZ-2304HP	文件：89.09 Kbytes Page：2 Pages	1WattSMDMiniatureIsolatedSingleOutput	RECOM Recom International Power	RECOM
SE2304	文件：420.14 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	WILLASWILLAS electronics corp 威倫威倫電子股份有限公司	WILLAS
SF2304B	文件：264.33 Kbytes Page：5 Pages	175MHzSAWFilter	MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所	MuRata
SI2304	文件：303.22 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
SI2304	文件：423.53 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features ?Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ?LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ?EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating ?MoistureSensitivityLevel1 ?30V,2.5A,RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V 30V,2.0A,	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半導體股份有限公司	MCC
SI2304	文件：270.85 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology Productavailability: SI2304DSinSOT23. Features ■TrenchMOS?technology ■Veryfastswitching ■Subminiaturesurfacemountpackage. Applications ■Batterymanagement	PhilipsNXP Semiconductors 飛利浦荷蘭皇家飛利浦	Philips
SI2304A	文件：1.61497 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友臺半導體廣東友臺半導體有限公司(簡稱UMW?)	UMW
SI2304A	文件：1.53469 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET Features VDS(V)=30V RDS(ON)	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊歐翊歐半導體	EVVOSEMI
SI2304BDS	文件：73.63 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI2304BDS	文件：113.34 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI2304BDS	文件：158.83 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體	Vishay
SI2304DDS	文件：242.33 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集團	TFUNK
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SI2304DS	文件：1.5437 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN

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