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R6035ENZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

R6035ENZ
廠商型號(hào)

R6035ENZ

參數(shù)屬性

R6035ENZ 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO247

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

309.83 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無(wú)錫固電

中文名稱

無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-5 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    R6035ENZ4C13

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    管件

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    35A(Tc)

  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V,15V

  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):

    102mOhm @ 35A,15V

  • 功率耗散(最大值):

    379W(Tc)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V 35A TO247

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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