R6035ENZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料
廠商型號(hào) |
R6035ENZ |
參數(shù)屬性 | R6035ENZ 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO247 |
功能描述 | isc N-Channel MOSFET Transistor |
文件大小 |
309.83 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
2 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ISC【無(wú)錫固電】 |
中文名稱 | 無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-5 23:00:00 |
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更多產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
R6035ENZ4C13
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
- 包裝:
管件
- FET 類型:
N 通道
- 技術(shù):
MOSFET(金屬氧化物)
- 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):
35A(Tc)
- 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):
10V,15V
- 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):
102mOhm @ 35A,15V
- 功率耗散(最大值):
379W(Tc)
- 安裝類型:
通孔
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 描述:
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM(羅姆) |
23+ |
TO2473 |
7350 |
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