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R6010ANX分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

R6010ANX
廠商型號(hào)

R6010ANX

參數(shù)屬性

R6010ANX 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-單個(gè);產(chǎn)品描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM

功能描述

10V Drive Nch MOSFET

封裝外殼

TO-220-3 整包

文件大小

1.20269 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-14 11:32:00

R6010ANX規(guī)格書詳情

Features

1) Low on-resistance.

2) Fast switching speed.

3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V.

4) Drive circuits can be simple.

5) Parallel use is easy.

Application

Switching

Structure

Silicon N-channel MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    R6010ANX

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • FET 類型:

    N 通道

  • 技術(shù):

    MOSFET(金屬氧化物)

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):

    10A(Ta)

  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • Vgs(最大值):

    ±30V

  • 功率耗散(最大值):

    50W(Tc)

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-220FM

  • 封裝/外殼:

    TO-220-3 整包

  • 描述:

    MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ROHM/羅姆
23+
NA/
30
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
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ROHM/羅姆
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TO-220FM
11200
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO
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ROHM/羅姆
23+
TO220F
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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ROHM/羅姆
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ROHM/羅姆
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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ROHM Semiconductor
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Rohm Semiconductor
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